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    厂商名称:Infineon Technologies
    主要产品:功率器件、接口、电源、传感器
    官方网站:http://www.infineon.com/cms/cn/
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  • 关于英飞凌


    英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司,致力于通过产品和系统方案为现代社会解决三大重要挑战:高能效、移动性和安全性。2014 财年 (截止9月30日),公司的销售额 43 亿欧元,在全球范围内拥有 29,800 名员工。2015 年 1 月,英飞凌收购美国国际整流器公司,该公司是电源管理技术行业的领先供应商,年收入达 11 亿美元 (2014 财年,该财年于 6 月 29 日结束),约 4,200 名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所 (股票代码:IFX) 和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier (股票代码:IFNNY) 挂牌上市。


    英飞凌在中国


    英飞凌科技股份公司于 1999 年 4 月 1 日在德国慕尼黑正式成立,西门子半导体事业部作为英飞凌科技 (中国) 有限公司的前身于 1995 年正式进入中国市场。自 1996 年在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约 1700 多名员工,已经成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

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    32位TriCore CPU
    2020-05-21
    32位TriCore CPU
    2020-05-21
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    2020-05-21
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    2020-05-21
    32位TriCore CPU
    2020-05-21
    32位TriCore CPU
    2020-05-21
    32位TriCore CPU
    2020-05-21
    32位TriCore CPU
    2020-05-21
    33位TriCore CPU
    2020-05-21
    32位TriCore CPU
    2020-05-21
    32位TriCore CPU
    2020-05-21
    32位TriCore CPU
    2020-05-21
    32位TriCore CPU
    2020-05-21
    32位TriCore CPU
    2020-05-21
    32位TriCore CPU
    2020-05-21
    700V,8.5A,600mΩ,N沟道增强式功率MOSFET
    2019-06-14
    高速开关系列第三代IGBT
    2019-06-14
    智能低端电源开关
    2019-06-14
    28mΩ,单通道智能低端电源开关
    2019-06-14
    智能高端电源开关
    2019-06-14
    200mΩ,单路智能高端电源开关
    2019-06-14
    60mΩ,单路智能高端电源开关
    2019-06-14
    20mΩ,单路智能高端电源开关
    2019-06-14
    6mΩ,单路智能高端大电流电源开关
    2019-06-14
    6mΩ,单路智能高端大电流电源开关
    2019-06-14
    2 x 140mΩ,双路智能高端电源开关
    2019-06-14
    2 x 90mΩ,双路智能高端电源开关
    2019-06-14
    4 x 200mΩ,四路智能高端电源开关
    2019-06-14
    4 x 200mΩ,四路智能高端电源开关
    2019-06-14
    4 x 140mΩ,四路智能高端电源开关
    2019-06-14
    4 x 140mΩ,四路智能高端电源开关
    2019-06-14
    9mΩ通态电阻,单通道智能高边开关
    2019-06-14
    LED升压控制器
    2019-06-14
    100V,6.8mΩ,90A,N沟道功率MOSFET
    2019-06-14
    100mΩ,智能低侧电源开关
    2019-05-16
    50mΩ,智能低侧电源开关
    2019-05-16
    220mΩ,智能高边电源开关
    2019-05-16
    600mΩ,智能高边电源开关
    2019-05-16
    30mΩ,智能感应高侧电源开关
    2019-05-16
    30mΩ,智能高侧电源开关
    2019-05-16
    32mΩ,智能双通道高侧电源开关
    2019-05-16
    25V,LED照明驱动器
    2019-05-16
    4.5V,LED照明驱动器
    2019-05-16
    4.5V,硅锗宽带MMIC射频放大器
    2019-05-16
    40V,碳化硅肖特基二极管
    2019-05-16
    4V,碳化硅肖特基二极管
    2019-05-16
    40V,碳化硅肖特基二极管
    2019-05-16
    10V,硅调谐二极管
    2019-05-16
    4.1V,低噪声硅锗双极射频晶体管
    2019-05-16
    16V,低噪声硅双极射频晶体管
    2019-05-16
    15V,NPN硅双极射频晶体管
    2019-05-16
    15V,NPN硅双极射频晶体管
    2019-05-16
    55V,20A,35mΩ,N沟道增强模式功率MOSFET
    2019-05-16
    38mΩ,智能高边电源开关
    2019-05-16
    6mΩ,智能高边大电流电源开关
    2019-05-16
    200mΩ,智能双通道高侧电源开关
    2019-05-16
    40V,LED照明驱动器
    2019-05-16
    3V,碳化硅肖特基二极管
    2019-05-16
    15V,低噪声硅双极射频晶体管
    2019-05-16
    12V,低噪声硅双极射频晶体管
    2019-05-16
    600V,18A,180mΩ,N沟道增强模型功率MOSFET
    2019-05-16
    700V,12.5A,360mΩ,N沟道增强式功率MOSFET
    2019-05-16
    40V,50A,7.9mΩ,N沟道增强模式功率MOSFET
    2019-05-16
    600V,48A,60mΩ,N沟道增强模式功率MOSFET
    2019-05-16
    150V,16mΩ,56A,N沟道功率MOSFET
    2019-02-26
    150V,100mA,硅PIN二极管
    2018-11-22
    30V,11.9mΩ,11A,N沟道功率MOSFET
    2018-11-22
    75V,4.5mΩ,160A,N沟道功率MOSFET
    2018-11-22
    -55V,60mΩ,-31A,P沟道功率MOSFET
    2018-11-01
    70V,13mΩ,82A,N沟道功率MOSFET
    2018-09-21
    30V,3.1mΩ,160A,N沟道功率MOSFET
    2018-09-21
    30V,40mΩ,5.3A,N沟道功率MOSFET
    2018-09-21
    150V,32mΩ,51A,N沟道功率MOSFET
    2018-09-21
    30V,250mΩ,1.2A,N沟道功率MOSFET
    2018-09-21
    -100V,480mΩ,-6.6A,P沟道功率MOSFET
    2018-09-21
    -55V,60mΩ,-31A,P沟道功率MOSFET
    2018-09-21
    -30V,600mΩ,-0.76A,P沟道功率MOSFET
    2018-09-21
    1200V,30A,反向导通IGBT
    2018-09-21
    50V,130mΩ,3A,N沟道功率MOSFET
    2018-08-23
    55V,22mΩ,47A,N沟道功率MOSFET
    2018-08-23
    55V,35mΩ,30A,N沟道功率MOSFET
    2018-08-23
    55V,40mΩ,3.8A,N沟道功率MOSFET
    2018-08-23
    150V,39mΩ,35A,N沟道功率MOSFET
    2018-08-23
    30V,50mΩ,5.3A,N沟道功率MOSFET
    2018-08-23
    60V,3mΩ,200A,N沟道功率MOSFET
    2018-08-23
    60V,3.3mΩ,173A,N沟道功率MOSFET
    2018-07-31
    -100V,60mΩ,-38A,P沟道功率MOSFET
    2018-07-31
    -100V,205mΩ,-13A,P沟道功率MOSFET
    2018-07-31
    -100V,60mΩ,-40A,P沟道功率MOSFET
    2018-07-31
    -55V,65mΩ,-31A,P沟道功率MOSFET
    2018-07-31
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    2018-07-31
    100V,18mΩ,42A,N沟道功率MOSFET
    2018-07-12
    55V,17.5mΩ,49A,N沟道功率MOSFET
    2018-07-12
    55V,65mΩ,3.1A,N沟道功率MOSFET
    2018-07-12
    60V,12mΩ,84A,N沟道功率MOSFET
    2018-07-12
    75V,4.5mΩ,209A,N沟道功率MOSFET
    2018-07-12
    30V,8.7mΩ,14A,N沟道功率MOSFET
    2018-07-12
    -55V,65mΩ,-31A,P沟道功率MOSFET
    2018-07-12
    ASK/FSK单转换接收器
    2018-06-25
    50,100mA,硅PIN二极管
    2018-06-13
    150,100mA,硅PIN二极管
    2018-06-13
    150,100mA,硅PIN二极管
    2018-06-13
    50,100mA,硅PIN二极管
    2018-06-13
    50,100mA,硅PIN二极管
    2018-06-13
    80V,100mA,硅深沟槽PIN二极管
    2018-06-13
    5.5V,3.5pF,0201,单向ESD/瞬态保护二极管
    2018-06-13
    5.5V,7pF,0201,单向ESD/瞬态保护二极管
    2018-06-13
    30V,4.8mΩ,18A,N沟道功率MOSFET
    2018-06-13
    100V,25mΩ,57A,N沟道功率MOSFET
    2018-06-13
    55V,75mΩ,17A,N沟道功率MOSFET
    2018-06-13
    55V,8mΩ,110A,N沟道功率MOSFET
    2018-06-13
    75V,1.85mΩ,350A,N沟道功率MOSFET
    2018-06-13
    200V,20mΩ,76A,N沟道功率MOSFET
    2018-06-13
    200V,25mΩ,65A,N沟道功率MOSFET
    2018-06-13
    100V,90mΩ,17A,N沟道功率MOSFET
    2018-06-13
    100V,36mΩ,42A,N沟道功率MOSFET
    2018-06-13
    100V,105mΩ,17A,N沟道功率MOSFET
    2018-06-13
    100V,185mΩ,10A,N沟道功率MOSFET
    2018-06-13
    30V/-30V,4A/3A,N/P沟道功率MOSFET
    2018-06-13
    三相交流电机驱动器
    2018-06-13
    200V,150mΩ,18A,N沟道功率MOSFET
    2018-06-13
    55V,-55V,4.7A,-3.4A,N/P沟道功率MOSFET
    2018-06-13
    双向超低电容ESD/瞬态保护二极管
    2018-05-25
    2通道,单向,超低电容ESD保护二极管
    2018-04-28
    650V,120A,发射极控制二极管
    2018-04-28
    600V,20.2A,N沟道功率MOSFET
    2018-03-21
    单通道智能高边功率开关
    2018-03-08
    20mΩ通态电阻,双通道智能高边功率开关
    2018-02-08
    30mΩ通态电阻,双通道,智能高边功率开关
    2018-02-08
    600V,380mΩ,10.6A,N沟道功率MOSFET
    2018-02-08
    单通道30mΩ,智能高边电源开关
    2018-02-08
    5A快速双通道栅极驱动器
    2018-02-08
    15V,45mA,低噪声硅双极射频晶体管
    2018-02-08
    集成大电流P/N沟道半桥驱动器
    2018-02-08
    单通道90mΩ,智能高边电源开关
    2018-02-08
    双通道180mΩ,智能高边电源开关
    2018-02-08
    600V,77.5A,N沟道功率MOSFET
    2018-02-01
    60V,6.9mΩ,100A,N沟道功率MOSFET
    2018-02-01
    用于LTE的硅锗低噪声射频放大器
    2018-02-01
    1Mbit/s 高速CAN收发器
    2017-12-15
    1Mbit/s 高速CAN收发器
    2017-12-15
    5V,400mA低压差固定稳压器
    2017-12-15
    600V,70mΩ,53.5A,N沟道功率MOSFET
    2017-12-15
    1A双半桥驱动器
    2017-12-15
    100V,12.3mΩ,71A,N沟道功率MOSFET
    2017-11-09
    集成650V CoolMOS®和启动单元的离线SMPS准谐振PWM控制器
    2017-11-09
    -20V,-1.5A,P沟道功率MOSFET
    2017-07-19
    600V,9.1A,N沟道功率MOSFET
    2017-07-19
    英飞凌的多螺旋桨飞行器设计方案,为您提供非常齐全的器件选项。除了IMU ( 惯性测量单元 ) 之外,还提供适用于现有解决方案的所有元器件,包括 XMC 微控制器、iMotion 电机控制、磁性传感器、角度传感器等专用器件,......[详情]
    CoolMOS™ CE 是英飞凌市场领先的高压功率 MOSFET 的技术平台,根据超结原理 (SJ) 设计,旨在满足消费者的需求。随着产品系列的扩大,英飞凌现在提供面向移动设备的低功率充电器和电动工具,以及 LCD、LED ......[详情]
    英飞凌服务型机器人解决方案凭借用于日常家务的最新服务型机器人技术,推动机器人技术革新,可满足家用环境中的消费者需求。 服务型机器人必须能够感知人类及其需求,此外还要耐用、可靠及紧凑。 通过多种强大的 SMD......[详情]
    英飞凌无刷直流 ( BLDC ) 电机具有多种优点:效率更高、寿命更长、不产生火花、可靠性高,可以选择多档速度,并有大扭矩。因此,越来越多的应用,包括医疗设备、家电、楼宇控制和工业自动化,都在充分利用无刷直流电......[详情]
    SQS 专栏
    2011年9月15日,P&S 正式成为 Infineon SQS 代理,为广大客户提供高快速、便捷的样品服务,以及小批量的采购服务。P&S 拥有 7000 多平米的防静电货仓,电话呼叫中心及网络销售部,还有北京、上海、深圳等 11 个办事机构,以及 32 家合作代理商和连锁店、专卖店。 保证订单下达8小时工作时间内出货,24 小时内运抵国内主要城市,48 小时内运抵国内二线城市。P&S 将成为 Infineon SQS 忠实的合作伙伴。
    MOSFETs ( 链接:MOSFET 器件选型表 )
    分类
    内容
    N 沟道 MOSFET (20V - 250V)
    N 沟道 MOSFET (>500V - 900V)
    N 沟道小信号 MOSFET
    N 沟道损耗型 MOSFET
    P 沟道 MOSFET
    互补 MOSFET
    MCU 及 开发工具
    分类
    内容
    8 位系列单片机
    16 位系列单片机
    开发工具
     
     
     
    产品资料
    Infineon XMC1300 风机应用套件 [详情]
    XMC1300 风机应用套件为英飞凌科技 2013 年推出的基于 XMC1300 (32 位 ARM Cortex-M0 内核 MCU) 的无感磁场定向控制 (FOC) 风机参考方案的配套套件。该套件由英飞凌及其第三方联合推出,采用功率板与控制板分开的方式,控制板采用英飞凌微控制器 XMC1300 (ARM Cortex-M0 内核),功率板输入电压 220V, 额定功率 30W,主器件包括分立 IGBT IKD03N60RF (600V,2.5A)、三相全桥驱动芯片 6ED003L06。套件支持 BLDC/PMSM 常见的各种控制方式如梯形波控制 (有/无霍尔传感器)、FOC (有/无霍尔传感器) 等,支持单/双/三电阻电流采样。
     
    Infineon 32位工业单片机 — XMC4000 系列 [详情]
    英飞凌推出全新的 XMC4000 32 位单片机产品家族,它们选用 ARM® Cortex™ M4 处理器。利用丰富的外设、良好实时功能等方面的经验,XMC4000 产品家族可满足工业应用的三大趋势。有助于改进能效,支持多种通信标准,还可降低开发中的软件复杂度。其目标应用包括电机控制、工业自动化、功率转换、新能源、制造及楼宇自动化等。XMC4000 家族包括 XMC4700、XMC4500、XMC4400、XMC4200、XMC4100 五个系列的产品,目前除了最高端的 XMC4700 系列,其他系列产品都已可以提供样片。
     
    Infineon 600V 和 650V CoolMOS C6/E6 高性能功率 MOSFET 系列 [详情]
    英飞凌在拥有 CoolMOS C3 和 CoolMOS CP 等上一代系列产品的开发经验,已持续提升切换速度,并降低导通电阻为宗旨。于 2010 年下半年推出全新的 600V 和 650V CoolMOS C6/E6 高性能功率 MOSFET 系列。该产品系列将现 代超级结 (SJ) 器件的优势 (如低导通电阻和低容性开关损耗) 与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融 合在一起。基于同样的技术平台,C6 器件针对易用性进行了优化,而 E6 器件则旨在提供 最高效率。替换 C3 功率 MOSFET 系列。
     
    基于 ARM® Cortex™ - M0 核的 32 位工业单片机 — XMC1000系列 [详情]
    XMC1000 单片机共有三大系列,XMC1100、XMC1200 和 XMC1300 系列。存储器拥有最具扩展性的闪存组合,容量从 8KB - 200KB 不等。并且采用引脚兼容封装的设计,可轻松互换。支持的软件,在整个 XMC 家族中可重复利用。XMC1000 开发工具包括从初始评估的入门套件,到针对具体应用的开发套件,一应俱全,为您的设计提供便利。三个不同系列涵盖了众多应用领域,XMC1100 系列是 XMC 单片机的入门级选择。XMC1200 系列具有面向 LED 照明和 HMI 设计的外设,XMC1300 系列可满足电机控制或数字电源转换应用的实时控制需求。秉承英飞凌全球第一的安全芯片的技术,XMC1000 产品具有有效的软件 IP 保护功能。
     
     
     
    方案资料
    标题
    内容
    基于 ICL8002G LED 球泡灯解决方案
    基于 ICB2FL03G 镇流器设计 — 电子镇流器方案
    智能电表开关电源解决方案
    英飞凌高性能太阳能微型逆变器解决方案
    英飞凌高效开关电源系统解决方案
    英飞凌智能照明方案介绍
    英飞凌高可靠性低压电机驱动解决方案
     
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